X 電容自動放電芯片, CAP200DG替代型號推薦 ME8701.
ME8701
ME8701.pdf
ME8701.pdfFEATURES
? 內置(zhi) 1000V MOSFET
? AC 電壓接入后阻止 X 電容放(fang)電
? AC 電(dian)壓(ya)斷電(dian)后通過放電(dian)電(dian)阻(zu)對 X 電(dian)容(rong)放電(dian)
? 功(gong)率損耗<5mW@230VAC
? X 電容容值靈活調節(jie)，簡化 EMI 濾波電路設計(ji)
? 自(zi)供電，無需外部(bu)偏置
? 兩端(duan)子(zi)結構，滿足(zu)安規標準
? 內(nei)部限制最大放電電流
PIN CONFIGUTION
優勢替代
FEATURES
? 一個元件即可涵蓋100 nF到6 mF的X電容值(zhi)
? AC電(dian)(dian)(dian)壓接通(tong)后阻止電(dian)(dian)(dian)流(liu)流(liu)經X電(dian)(dian)(dian)容放(fang)電(dian)(dian)(dian)電(dian)(dian)(dian)阻
? AC斷電(dian)(dian)后通過放電(dian)(dian)電(dian)(dian)阻自(zi)動(dong)對X電(dian)(dian)容進行(xing)放電(dian)(dian)
? 簡(jian)化EMI濾波(bo)電(dian)(dian)路(lu)的(de)(de)設(she)計 – 采(cai)用更大容量的(de)(de)X電(dian)(dian)容，
可使用(yong)小號電感(gan)元件(jian)，而不會改(gai)變功耗(hao)
? 只有兩個端子(zi) – 在系統輸入(ru)保(bao)險絲(si)之(zhi)前或之(zhi)后使用(yong)
均可滿足(zu)安全標(biao)準(zhun)
? 封裝和PCB板上的爬(pa)電(dian)距離>4 mm
? 自供電(dian) – 無需外部(bu)偏置
? 高共模抗浪涌能力 – 無需外部接地(di)連接
? 高差模抗浪涌能力(li) – 內(nei)部集(ji)成1000 V MOSFET
? 通(tong)過NEMKO與CB認證(zheng)
PIN CONFIGUTION
